KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术...KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，性能优越；漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，低导通电阻RDS（ON）值为78mΩ（...
最大耐压：30V 最大电流：18A 导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反馈电...最大耐压：30V 最大电流：18A 导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反馈电容 (Crss)：542pF
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，...KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，减少导电损耗、提升效率；无铅和绿色设备的特点，符合环保要...
KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA280...KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，RDS（开启）=4.0mΩ（典型值...
KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2...KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2mΩ，以减少导电损耗，具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安...
KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电...KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿...
