KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压120V，漏极电流130A，提供优...KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压120V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON），在VGS=10V时的RDS（ON）仅为6.0mΩ（典型值），低栅极电荷，在储能...
KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，具有D...KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封装的RDS（ON）分别为4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，...
车载逆变器专用场效应管KNX2404N采用专有的新型沟槽技术，具有出色的参数特性，...车载逆变器专用场效应管KNX2404N采用专有的新型沟槽技术，具有出色的参数特性，漏源击穿电压40V，漏极电流190A，RDS（ON），典型=4mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极...
KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数，采用了CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术...KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数，采用了CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通）和优秀的QgxRDS（on）产品性能；RDS（开）为3.1mΩ...
KIA2910A场效应管是一款具有高性能的电子元件，漏源击穿电压100V，漏极电流130...KIA2910A场效应管是一款具有高性能的电子元件，漏源击穿电压100V，漏极电流130A，RDS（开启）为6.0mΩ@VGS=10V，具有超低导通电阻，适用于超高密度电池设计，100%...
KIA23P10A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，具有出色的特性，漏源击穿电...KIA23P10A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，具有出色的特性，漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，表现稳定可靠，RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型...
