KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，...KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，漏极电流可达200A，表现出优秀的性能；RDS（ON）仅为2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源...KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极...KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极低的导通电阻，RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM应用和负载开关中表现出色，...
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力...KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场...
9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VG...9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式：SOP...
KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的...KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的电气特性；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ...
