8205MOS管,8205场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：5.0A 栅源电压：±12...8205MOS管,8205场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：5.0A 栅源电压：±12V 脉冲漏电流：20A 总功耗：2W
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（...KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA34...
KNX3402A是一款漏源击穿电压20V，漏极电流80A的高性能场效应管，RDS（开启）（...KNX3402A是一款漏源击穿电压20V，漏极电流80A的高性能场效应管，RDS（开启）（典型值）=3.0mΩ @ VGS=4.5伏，超低Rdson的高密度电池设计，保证了电路的高效能运行...
KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。...KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。3402场效应管适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。KIA3402（绿色产品）提供无...
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅...KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)...KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8mΩ(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操...
