KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应...KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于...
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一...KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) ：-100A 漏源击穿电压 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) ：-100A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V 栅极电荷（Qg）：115 nC 功耗 (PDM) ：83W
P30v MOS,KPE4403A参数引脚图 漏极电流 (ID) ：-5.0A 漏源击穿电压 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A参数引脚图 漏极电流 (ID) ：-5.0A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V 栅极电荷（Qg）：6.5 nC 功耗 (PDM) ：1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) ：-30A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V 功耗 (PDM) ：57W 栅极电...
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点，漏源击穿电压...KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点，漏源击穿电压高达650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力、良好的导电性能，RDS（ON）的典型...
