KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用了先进...KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用了先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，提供杰出的性能、结工作温度175℃，具备较高...
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，同时还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的...
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有...KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通），能够实现高效的电路控制；2804场效应管RDS（ON）为3.0...
KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，R...KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V时）；封装形式：TO-220、TO-263。
1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3Ω @VGS=10V、低栅...1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3Ω @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC，提供高坚固性和快速切换能力、还具备指定的雪崩能量和改进的dv/dt...
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为...1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3Ω，确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC，在控制电荷时更加高效、还具备高...
