KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术，漏极电流7A，漏源击穿电压100...KNX5610A场效应管采用高单元密度的先进沟槽技术，漏极电流7A，漏源击穿电压100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有优异的导通特性；超低栅极电荷，减小开...
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，T...碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，TJ为25°C时达到典型值，具有低导通电阻和高阻断电压的特点；在低电容条件下能实现高...
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性，RDS（ON）仅为40mΩ（典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性，RDS（ON）仅为40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃条件下，在高电压下能够拥有较低的导通电阻，同时表现出优异的...
KPE4703A场效应管漏极电流-8A，漏源击穿电压-30V，具有优异的性能表现；导通电...KPE4703A场效应管漏极电流-8A，漏源击穿电压-30V，具有优异的性能表现；导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，在栅极电压为10V时；超低的栅极电荷，能够有效降低电路中的开关...
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的...KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值...
10N80E参数,10n80参数引脚图 漏极电流（ID）：10A 漏极和源极电压（VDSS）：...10N80E参数,10n80参数引脚图 漏极电流（ID）：10A 漏极和源极电压（VDSS）：800V 漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω 耗散功率（PD）：42W 封装：TO-220...
