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对于COOLMOS 结构,由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域,所以P 区...对于COOLMOS 结构,由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域,所以P 区一侧的耗尽区会大大扩展,并且这个区域深入EPI 中,造成了PN 结两侧都能承受大的电...
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