KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿...KIA7N65H是一款高性能场效应管，具有出色的性能和可靠性，漏极电流7A，漏源击穿电压高达650V，导通电阻仅为1.2Ω，在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能；能够替代...
KCX3008A场效应管场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术...KCX3008A场效应管场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，具有极低的RDS（开启）值，典型值为4.5 mΩ@Vgs=10V，表现出优秀的栅极电荷与RDS...
6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9Ω @ VGS=10V；...6n65场效应管漏极电流5.5A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）=1.9Ω @ VGS=10V；具有低栅极电荷，典型值为16nC，KIA6N65H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高...
KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件，漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，R...KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件，漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）典型值为2.0Ω，在VGS为10V，ID为2A时；这款场效应管采用了快速切换技术，经...
4n65场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V；...4n65场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V；4n65场效应管还具有低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性，快速切换，经过100%...
KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具有出色的性能指标；RDS（...KNG3404D场效应管漏极电流80A，漏源击穿电压为40V，具有出色的性能指标；RDS（ON）=4.4mΩ（典型值）@VGS=10V，极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升效率；还具有...
