在完结地图规划并经工艺厂家流片后，能够选用两种办法对芯片进行功能、功能测验...在完结地图规划并经工艺厂家流片后，能够选用两种办法对芯片进行功能、功能测验：一种办法是直接键合到PCB（印制电路板）上，另一种办法是经过封装厂家进行封装后...
增强型NMOS管的工作原理 当NMOS管的栅极与源极短接（即NMOS管的栅／...增强型NMOS管的工作原理 当NMOS管的栅极与源极短接（即NMOS管的栅／源电压VGS=O）时，源区（N+型）、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背的PN结，不管...
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层...（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏...
快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr)在几百纳秒(ns)以下，超快恢...快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr)在几百纳秒(ns)以下，超快恢复二极管以致能抵达几十纳秒。反向恢复时间(trr)，它的定义是：电流经过零点由正向...
当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增...当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近...
1 功率管的展开 功率器件近年来曾经从硅双极型晶体管、场效应管以及在... 1 功率管的展开 功率器件近年来曾经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通讯范畴被普遍应用的LDmos 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁...
