KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于...KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。 VDS(V)=...
KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的...KND4560A场效应管漏源电压600V，漏极电流6A，RDS（ON）为1.4Ω（在VGS=10V时的典型值）；具有TO-251、252封装形式可供选择，方便安装使用。KND4560A能够替代士兰微...
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低...KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典型值为13.5nC）最小化开关损耗，高坚固性，快速切换能力，指定雪崩能量...
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=15...KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具备低栅极电荷最小化开关损耗，能够稳定可靠地工作，加固...
KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低栅极电...KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低栅极电荷（典型的45nc）、快速切换的能力、雪崩能量、改进的dt／dt能力等特性，这款场效应...
KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的R...KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时能够产生较低的电阻。这款场效应管还具有低栅电荷特性...
