集成化的栅极驱动器件 在理论上，集成化的栅极驱动器件的应用更为...集成化的栅极驱动器件 在理论上，集成化的栅极驱动器件的应用更为普遍。用于VMOS驱动的集成化器件大致有图5. 84所示的几类，它们的基本特性如表5.9所...
4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之...4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之间的阈值电压VT上必需加额外的电压△ov。图7.4所示的栅源电流源电路中，处于监视侧...
在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（...在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压...
PMOS晶体管是在n型基底上构成p+型的源区和漏区。假如采用p型硅衬底，如图1.19所...PMOS晶体管是在n型基底上构成p+型的源区和漏区。假如采用p型硅衬底，如图1.19所示，在p型衬底上先作成n型基底，把这个n型区域称为n阱( well)。
MOS晶体管的符号示于图1.3。MOS晶体管是四端器件：源极(S)、栅极(G)、漏极(D)，...MOS晶体管的符号示于图1.3。MOS晶体管是四端器件：源极(S)、栅极(G)、漏极(D)，以及基底端(B)。基底端在NMOS晶体管中通常衔接电路的负端电源电压Vss，在PMOS晶体管...
工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并...工作频率和驱动信号的占空比不是很大，并且VMOS的功率规格也不是很大时，普通并不需求为VMOS配置特地的驱动电路。通用的CMOS半导体(互补金属氧化物品体管逻辑IC)、...
