半导体材料 一、半导体材料 半导体单晶 硅单晶 锗单晶 化合物单晶 2...半导体材料 一、半导体材料 半导体单晶 硅单晶 锗单晶 化合物单晶 2.半导体片材 其他半导体片材 半导体外延片 半导体抛光片 半导体封装材料
跟着科学技术的发展,电源技术又与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技...跟着科学技术的发展,电源技术又与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技术等很多领域紧密亲密相关。开关电源在电源技术中据有重要地位,从20kHz发展到高不...
MOS又分为兩种,一种为耗尽型(DepletionMOS),另一种为增强型(EnhancementM...MOS又分为兩种,一种为耗尽型(DepletionMOS),另一种为增强型(EnhancementMOS)。 因为场效应管拓展器的输入阻抗很高,因而耦合电容能够容量较小,不必运用电...
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时,...用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此...
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所...Mosfet参数意义阐明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id:...
P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大...P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之...