KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX...KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能够代换aod4454型号，在LED驱动等领域热销，封装形式：TO-252、TO-251。
KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KI...KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A场效应管100V 9A能够代换AON6450型号，这种通用技术非常适合无线充、无人机方...
KIA4610A是采用先进的高单元密度沟槽式N沟MOSFET，漏源击穿电压100V，漏极电流...KIA4610A是采用先进的高单元密度沟槽式N沟MOSFET，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)，降低开关损耗、...
KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，...KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备...
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压...KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应...
KPD8610A是一款P沟道MOSFET，采用先进的高密度沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏...KPD8610A是一款P沟道MOSFET，采用先进的高密度沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V，具有超低栅电荷、优异的cdv/dt效应降低等...
