NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSF...NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35...
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（...nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的R...
NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4....NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A场效应管具有100%雪崩测试，无铅和绿色设备可用（...
ru6888r场效应管代换KNX3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为70A，RDS（O...ru6888r场效应管代换KNX3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为70A，RDS（ON）=7.5mΩ（典型值）@ VGS=10v；KNX3508A 80V 70A场效应管具有100%雪崩测试，可靠、...
KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V...KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度电池设计；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅...
70n08场效应管代换KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS...70n08场效应管代换KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8mΩ(Max.)@VGS=10V；采用KIA半导体的先进的沟槽工艺技术...
