ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (o...ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等...
irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (...irf3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快...
hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) ...hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特...
KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；...KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试；KIA3506A可以代换RU6070L、CEP6086、STF140N6...
低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds开启，可将传导损耗降至最低、高雪崩电流等特点；KIA50n06可以代换SQD...
低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先进的高密度沟槽技术制造，封装形式：TO-251/252。KIA30N06B3场效应管可以...
