KIA35P10A是一款自动化设备的电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提...KIA35P10A是一款自动化设备的电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on...
KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为...KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。
7812，①脚为+24V输入，②脚为公共地（接-24V），③脚是+12V输出，输出的-12V接...7812，①脚为+24V输入，②脚为公共地（接-24V），③脚是+12V输出，输出的-12V接在②脚公共地。
KCX3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流最大为85A；RDS（on）（典型值）=...KCX3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流最大为85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先进的SGT技术，具有极低的开关损耗、卓越的稳定性、良好的...
KIA40N20A是一款40A低电流，200V高电压N沟道增强型功率MOS场效应管，以其40A漏...KIA40N20A是一款40A低电流，200V高电压N沟道增强型功率MOS场效应管，以其40A漏极直流电流、200V漏-源电压的特性，一般推荐用于DC-DC电路的产品，还可以用于逆变电...
KCT1810A参数,240A 100V引脚图资料 型号：KCT1810A 漏极-源极电压：100V 持...KCT1810A参数,240A 100V引脚图资料 型号：KCT1810A 漏极-源极电压：100V 持续漏极电流:240A 脉冲漏极电流:960A
