KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，KIA2906A能够完美匹配hy1906...
KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开...KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗，卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式：SOT-23，可替...MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式：SOT-23，可替代SI2300以及NCP1117，KIA2300具有较低的导通电阻、优越的开关性能、可最大限度地...
KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。
6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最...6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。K...
KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX...KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX3008A漏源击穿电压85V, 漏极电流最大值为120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用...
