KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数场效应管。...KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数场效应管。7910A为低压大电流功率场效应管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，开...
MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@V...MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小...
KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏...KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220F；脚位排列位...
40A 250V场效应管参数,9125A-参数 漏源电压：250V 漏极电流：40A 功耗:125W...40A 250V场效应管参数,9125A-参数 漏源电压：250V 漏极电流：40A 功耗:125W
型号：TIP35C 类型：NPN三极管 集电极耗散功率（PC）：125 W 集电极电流（I...型号：TIP35C 类型：NPN三极管 集电极耗散功率（PC）：125 W 集电极电流（IC）：25 A
高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）...高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于...
