KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on...KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当...
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，专为高压、高速功率开关应用设...KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，专为高压、高速功率开关应用设计，在高压环境下发挥稳定，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能...
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在...KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω...
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具...KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改...
KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，...KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有效降低功耗和提高效率；...
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VG...KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典型90nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有高坚固性、快速切...
