KNP9125A场效应管采用专有新型平面技术，最高承受电压可达250V，漏极电流最大值...KNP9125A场效应管采用专有新型平面技术，最高承受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢...
KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON...KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快恢复体二极管，是一款性...
漏源电压：500V 漏极电流：28A 漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω 栅源电压：±...漏源电压：500V 漏极电流：28A 漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω 栅源电压：±30V
电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，RDS(on)...电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，具有极低通阻RDS(on)，开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）...
无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A...无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS...
电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电...电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低导通损耗，具有低栅极电荷最小化开...
