KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通...KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（...
无线充专用MOS管KCM9860A是一款高压器件，漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有...无线充专用MOS管KCM9860A是一款高压器件，漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二...
电源适配器mos管KNX6140S是一款N沟道增强型硅栅极功率MOSFET，漏源击穿电压400...电源适配器mos管KNX6140S是一款N沟道增强型硅栅极功率MOSFET，漏源击穿电压400V，漏极电流11A，RDS（开启）典型值=0.53Ω@VGS=10V，较低的导通电阻，可最大限度地...
调光专用MOS管KIA4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）=14.5mΩ（典型...调光专用MOS管KIA4603A漏源击穿电压30V，漏极电流7A，RDS（开）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降，最大限度地减少导电损耗，...
KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压120V，漏极电流130A，提供优...KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压120V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON），在VGS=10V时的RDS（ON）仅为6.0mΩ（典型值），低栅极电荷，在储能...
KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，具有D...KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封装的RDS（ON）分别为4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，...
