KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7mΩ...KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7mΩ，在电源、光伏逆变器和锂电保护板等应用中具有出色的性能表现；1906场效应管采用无...
KNB3308A场效应管是一款漏源击穿电压80V，漏极电流80A的出色器件，RDS（ON）值...KNB3308A场效应管是一款漏源击穿电压80V，漏极电流80A的出色器件，RDS（ON）值为6.2mΩ（在VGS=10V时为典型值），优异的低导通电阻特性能够降低导通损耗，还具有高...
KNX3006A是一款高坚固性的场效应管，漏源击穿电压68V，漏极电流120A，表现出优...KNX3006A是一款高坚固性的场效应管，漏源击穿电压68V，漏极电流120A，表现出优秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（107nC），经过改进...
KNX3106N场效应管具有漏源击穿电压高达60V和漏极电流可达110A的强大特性，RDS（...KNX3106N场效应管具有漏源击穿电压高达60V和漏极电流可达110A的强大特性，RDS（ON）在VGS为10V时表现出色，仅为7mΩ（典型值），表现出卓越的导通能力；采用了专有...
KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，...KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，漏极电流可达200A，表现出优秀的性能；RDS（ON）仅为2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源...KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
