KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极...KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极低的导通电阻，RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM应用和负载开关中表现出色，...
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力...KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场...
9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VG...9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式：SOP...
KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的...KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的电气特性；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ...
7306场效应管采用先进的高电池密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流22A，R...7306场效应管采用先进的高电池密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表现出卓越的导通能力，超低栅极电荷，在工作...
KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流18A，额定RDSON为7.5mΩ（在VGS=10...KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流18A，额定RDSON为7.5mΩ（在VGS=10V时），表现稳定可靠，具有超低的门电荷，在工作时能够更加高效，还具有Cdv/dt效应下...
