KIA4706A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压60V，...KIA4706A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压60V，漏极电流8A，具有RDS（开）仅为10mΩ（在VGS=10V时的典型值），在应用中表现出超低的...
9926mos管,9926场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：6A 漏源通态电阻(RDS...9926mos管,9926场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：6A 漏源通态电阻(RDS(on))：0.030Ω 总功耗：2.0W
KIA3423采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压-20V，漏极电流-2.0A，提供出色的RDS...KIA3423采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压-20V，漏极电流-2.0A，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，能够减少功耗，提高效率。3423场效...
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。3409场效应管...KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。3409场效应管适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。 V...
8205MOS管,8205场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：5.0A 栅源电压：±12...8205MOS管,8205场效应管参数 漏源电压：20V 漏极电流：5.0A 栅源电压：±12V 脉冲漏电流：20A 总功耗：2W
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（...KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA34...
