KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电...KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14mΩ，表现出卓越的导通能力、...
KNX4360A场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压高达600V，漏极电流4.0A，...KNX4360A场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压高达600V，漏极电流4.0A，RDS（ON）为1.9Ω（在VGS=10V，ID=2A时），表现出卓越的导通特性，这款场效应管具有...
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先...KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15mΩ @ VDS=30V，较...
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极...KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的...
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应...KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于...
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一...KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电...
