KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技...KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技术，具有超低栅电荷、优良的CDV / dt效应递减等；封装形式：SOP-8。KIA7P03A场效应管...
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计...2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2306场效应管非常适合应用于LED感应灯、...
3415场效应管漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；极低RDS（on）的高密度单元设计...3415场效应管漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。3415场效应管非常适合使用于苹果充电头、...
KIA2302漏源击穿电压20V，漏极电流为3A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅...KIA2302漏源击穿电压20V，漏极电流为3A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23场效应管MOSFET能...
3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，3401采用先进的沟槽技术，提供优良...3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，3401采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(on)，低栅极电荷工作电压低至2.5V。该器件适用于作为负载开关或PWM应用程序。...
KIA2301漏源击穿电压-20V，漏极电流为-2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计、...KIA2301漏源击穿电压-20V，漏极电流为-2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2301应用于小家电方案，高效率低损耗。
