KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ...KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/...
KIA50N03CD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ...KIA50N03CD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V，性能优质的场效应管，非常适合应用在潜水泵控制板上，KIA50N03CD可最大限...
6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关...6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。knp6140漏源击穿电压400V,...
irfp3206场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流最大为200A；RDS（on）（典型值）=...irfp3206场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流最大为200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a场效应管irfp3206型号适合应用于：开关电源中的高效同步整...
ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用...ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用KIA半导体的KNX2915A型号替代，KNX2915A漏源击穿电压150V，漏极电流最大为130A；RDS...
KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，KIA2906A能够完美匹配hy1906...
