新闻中心-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

78L05,78L06,78L08,78L09三端稳压型号对照表选型参数-...

三端稳压管，主要有两种，一种输出电压是固定的，称为固定输出三端稳压管，另一...三端稳压管，主要有两种，一种输出电压是固定的，称为固定输出三端稳压管，另一种输出电压是可调的，称为可调输出三端稳压管，其基本原理相同，均采用串联型稳压电...

1500V大功率场效应管 48150A高压mos管参数-KIA MOS管

大功率场效应管KNX48150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为9A；RDS...大功率场效应管KNX48150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为9A；RDS (on) = 2.8mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速...

1200v 3a高压mos管,电源应用,42120A引脚图参数-KIA MOS...

KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1200V，漏极电流最大值为3A；RDS (on) = 7...KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1200V，漏极电流最大值为3A；RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，...

场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管

KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = ...KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优...

1000V 10A电源应用 61100A场效应管 mos管参数-KIA MO...

KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = ...KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优...

1000V 6A场效应管KNX45100A 参数引脚规格书-KIA MOS管

KNX45100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为6A；RDS (on) = 2...KNX45100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点...