集成化的栅极驱动器件 在理论上，集成化的栅极驱动器件的应用更为...集成化的栅极驱动器件 在理论上，集成化的栅极驱动器件的应用更为普遍。用于VMOS驱动的集成化器件大致有图5. 84所示的几类，它们的基本特性如表5.9所...
早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者...早期的功率MOSFET常常会由于漏-源极的电流或者电压的变化速率太快而失控，或者形成漏-源极的击穿损坏。而在大功率的高速开关电路中，纯阻性负载是很少见的，即便外...
你要想一个问题：现在淘宝越来越严格，将来淘宝的流量为什么要给你？一定是你可...你要想一个问题：现在淘宝越来越严格，将来淘宝的流量为什么要给你？一定是你可以发明最大的流量价值，也就是说，流量进到你的店铺后，你的转化率、客单价都是优秀...
就VMOS的开关而言，分布参数的主要要素是结电容，其他影响要素还包括引线、端电...就VMOS的开关而言，分布参数的主要要素是结电容，其他影响要素还包括引线、端电极、PN结、管芯本体（基区）的等效分布电容和分布电感，工作频率越高，上述“其他要...
CMOS器件具有宏大市场的最大理由就是功率耗费低。正如将CMOS反相器电路（图10....CMOS器件具有宏大市场的最大理由就是功率耗费低。正如将CMOS反相器电路（图10.4）置换为等效电路（图10.5）时所看到的那样，不管输入的信号是“L”电平还是“H”电...
4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之...4个MOS晶体管，所以如式(7.2)所示的那样，在饱和区下作的MOS晶体管的栅极源极之间的阈值电压VT上必需加额外的电压△ov。图7.4所示的栅源电流源电路中，处于监视侧...
