在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（...在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压...
PMOS晶体管是在n型基底上构成p+型的源区和漏区。假如采用p型硅衬底，如图1.19所...PMOS晶体管是在n型基底上构成p+型的源区和漏区。假如采用p型硅衬底，如图1.19所示，在p型衬底上先作成n型基底，把这个n型区域称为n阱( well)。
非常有用：军训小经验，军训必备，大概的军训情况表让你轻松度。 1、... 非常有用：军训小经验，军训必备，大概的军训情况表让你轻松度。 1、一般来说大学军训都会发一套迷彩服，包括帽子鞋肩章什么的都有，但是有的学校不会给...
MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的阈值电压VTN是正值，当VGS= OV时就没有漏极电...MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的阈值电压VTN是正值，当VGS= OV时就没有漏极电流流动，这样的晶体管称为增强型晶体管( enhancementtransistor)。图2.10示出增强型...
CMOS器件的第一优点就是省电，静态消耗电流十分小，OP放大器的CMOS输入偏置电流...CMOS器件的第一优点就是省电，静态消耗电流十分小，OP放大器的CMOS输入偏置电流十分小(lpA)。在低电源电压下也具有高速呼应，在笔记本电脑、便携式电话的微处理器...
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