KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2s...KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容...
KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，...
S9018是一种小功率NPN型硅高频三极管，常用于放大和开关电路。具有高功率增益、...S9018是一种小功率NPN型硅高频三极管，常用于放大和开关电路。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性；属于通用型晶体三极管。其一般用于分立元...
900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) =...900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，...
900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6...900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。封装形式：TO-...
MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（...MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关...
