通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用U...通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。 开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压...
对于大功率场效应管，如图6-6 (a)所示，从左至右，管脚排列基本为G、D、S极（散...对于大功率场效应管，如图6-6 (a)所示，从左至右，管脚排列基本为G、D、S极（散热片接D极）：采用绝缘底板模块封装的特种场效应管通常有四个管脚
晶体三极管通常简称为晶体管或三极管，是一种具有两个PN结的mos管半导体器件。...晶体三极管通常简称为晶体管或三极管，是一种具有两个PN结的mos管半导体器件。它是电子电路中的核心器件之一，在各种电子电路中的应用十分广泛。
场效应管的主要作用是放大、恒流、阻抗变换、可变电阻和电子开关等。场效应管的主要作用是放大、恒流、阻抗变换、可变电阻和电子开关等。
半导体：(室温)； 锗：0.67eV 砷化镓：1.43eV 氧化锌:3.3 eV半导体：(室温)； 锗：0.67eV 砷化镓：1.43eV 氧化锌:3.3 eV
碳化硅二极管具有较短的恢复时间，影响较小，工作范围-55。至175。C，大大降低...碳化硅二极管具有较短的恢复时间，影响较小，工作范围-55。至175。C，大大降低散热的要求。它的主要优势在于它具有超快开关速度无反向恢复电流，跟硅器件对比，它...
