KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这款24A、500V低电流、...KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这款24A、500V低电流、高电压的MOS管是能够匹配：2SK2837、25N50两款型号，能够完美代换使用。
KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低...KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好等特点；在使用性能参数方面能够匹配型号为IRFP460的国外场效应管，也...
KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用...KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用于开关电源、DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，紫外线灯电子镇流器等产品中。
KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进...KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换...
漏源电压：600V 栅源电压：±30A 漏电流连续：12A 脉冲漏极电流：48A漏源电压：600V 栅源电压：±30A 漏电流连续：12A 脉冲漏极电流：48A
10n65场效应管是针对储能电源，有更耐冲击，同等参数雪崩更高的MOSFET。10n65场效应管是针对储能电源，有更耐冲击，同等参数雪崩更高的MOSFET。
