MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较...MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较小的器件尺寸可到达较高的器件密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流（ID~1/L）...
当沟道的边缘效应变得不可疏忽时，随着沟道的缩减，n沟道MOSFET的阈值电压通常...当沟道的边缘效应变得不可疏忽时，随着沟道的缩减，n沟道MOSFET的阈值电压通常会变得不像原先那么正，而关于p沟道MOSFET而言，则不像原先那么负，图6.23显现了在V...
功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转...功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装...
在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到...
为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝...为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是...
场效应管晶体管工作原理场效应管晶体管工作原理
