本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，30...本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动芯片的最大电...
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者...MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都...
(1)可以快速恢复，以满足越来越高的速度需求。以开战电源为例，采用双极型晶体...(1)可以快速恢复，以满足越来越高的速度需求。以开战电源为例，采用双极型晶体管n寸-速度能够到达几十千赫兹；运用MOSFET和ICBT时，速度能够到达几百千赫兹；而采...
MOSFET的中文称号是金属氧化物半导体场效应晶体管，也叫绝缘栅场效应晶体管，缩...MOSFET的中文称号是金属氧化物半导体场效应晶体管，也叫绝缘栅场效应晶体管，缩写为MOSFET，简称MOS管。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管，它是继MO...
CMOS反相墨为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS反相器中，p与n沟道晶体管的栅极衔...CMOS反相墨为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS反相器中，p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此反相器的输入端，而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为反相器...
CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；...CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈...
