MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电...MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不...
MOSFET 管还有N个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃...MOSFET 管还有N个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃。然后假设一个合理的较低的 MOSFET 管结点到外壳的温升 （ 这样就小需里太低的外 壳...
导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持...导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2～3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时...
开关电源发生过电压、过电流短路时，保护电路使开关电源停止工作以保护负载和电...开关电源发生过电压、过电流短路时，保护电路使开关电源停止工作以保护负载和电源本身。 线性电源一般是将输出电压取样后与参考电压起送入比较电压放大器，此电压...
①由于高压MOSFETPWM及驱动电路等集成在一个芯片里，大大提高了电路的集成度，...①由于高压MOSFETPWM及驱动电路等集成在一个芯片里，大大提高了电路的集成度，所以用该芯片设计的开关电源，外接元器件少，可降低成本，缩小体积，提高可靠性；②...
它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用...它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流，或者在关断和导通的过相巾将基极和发...
