MOSFET具备控制功率小、开关速度快的特点，广泛应用于低中高压的电路中，是功率...MOSFET具备控制功率小、开关速度快的特点，广泛应用于低中高压的电路中，是功率半导体的基础器件。MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统中的变速箱控...
变频器也称为变频驱动器或驱动控制器，是可调速驱动系统的一种，是应用变频驱动...变频器也称为变频驱动器或驱动控制器，是可调速驱动系统的一种，是应用变频驱动技术改变交流电动机工作电压的频率和幅度，来平滑控制交流电动机速度及转矩。
根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失...根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等...
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟...虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。
KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术...KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述 该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间，低导通电阻，低栅电荷...
region：MOS管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0： 关断；1： 线性区；2：...region：MOS管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0： 关断；1： 线性区；2： 饱和区；3： 亚阈值区；4： 击穿
