MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大...MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导...
KIA12N65H N沟道增强型MOSFET；12N65参数650V12A；12N65引脚TO-220F；12N65场效...KIA12N65H N沟道增强型MOSFET；12N65参数650V12A；12N65引脚TO-220F；12N65场效应管中文资料规格书12N65引脚图
这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术...这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整，以使其最小化通态电阻，提供优越的开关性能，并...
MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就...MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就要格外注意应用情况和设计余量，确保MOSFET的Tj不会超过其最大值。
总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时...总功率损耗Ptot的定义是：在焊接衬底温度维持在25℃时，器件达到最大结点温度时所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot来表达，节点温度才是最终的MOSFET是否...
如果可以把电流始终限制在I_SET以下，可以去掉限流电阻，让电流保持略小于I_SE...如果可以把电流始终限制在I_SET以下，可以去掉限流电阻，让电流保持略小于I_SET，快速充电。如下图，电流曲线的积分为V_CL，左右两图的阴影面积大小相同，可以看出...
