MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MO...MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术 极低通阻RDS(通) 符合JEDEC标准
MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高...1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s...
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管...驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？
由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量...由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。
过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等...过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等效为上图开关闭合的瞬间。可以理解给了一个阶跃信号，因此电压过冲是该RCL电路对阶跃...
