在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电...在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以...
为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流...为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流二极管关断（高边开关导通）时，RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容...
保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，...保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，从而保证开关管正确可靠地运行；并降低EMI的水平。
MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。
首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还...首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还有将对应器件电压也设置成变量，设成变量方面后面仿真条件下修改参数。
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤素标准
