下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控...下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中，上管导通时，VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁；上管关断时，电机通过Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv/dt太大，可能发生振铃，进而可能导致MOSFET损坏。
dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导...dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE，使寄生双极晶体管导通，引起短...
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该...双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复...
下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压，核心板启动之后，输...下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压，核心板启动之后，输出低电压：
作为放大器，其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号...作为放大器，其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号的增益。本文介绍一个公式（未必完全通用，但一定满足本文介绍的四种放大器）并加以...
