在讲解MOSFET的开启过程之前，先说以下电容C的充放电过程，下面以1uF陶瓷电容为...在讲解MOSFET的开启过程之前，先说以下电容C的充放电过程，下面以1uF陶瓷电容为例，我们仿真一下电容在充电和放电两个过程中，电容两端的电压和电流的波形图是什么...
现在用在音响上的功率MOS又分正温和负温管，如K1058等是负温管，温度越高同样的...现在用在音响上的功率MOS又分正温和负温管，如K1058等是负温管，温度越高同样的Vgs得到的ID越小。IRFP240等是正温管，温度越高，Vgs开启电压越低，同样的Vgs下得到...
共源极电路除有图16-13 所示的接法外，还可采用图16-14 所示的电路。这种电路的...共源极电路除有图16-13 所示的接法外，还可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会...
三极管的饱和区：Ic不随Ib的增大而增大，所以称为饱和区。MOS管的饱和区：Ids不...三极管的饱和区：Ic不随Ib的增大而增大，所以称为饱和区。MOS管的饱和区：Ids不随Vds的增大而增大，所以称为饱和区。
研究MOSFET特性采用的典型电路：如图所示MOSFET有三个极，分别是栅极G、漏极D、...研究MOSFET特性采用的典型电路：如图所示MOSFET有三个极，分别是栅极G、漏极D、源极S。RL作为载流电阻，V0_out一直等效于Vds。G_in为栅极的输入（在之后的说明中用...
1、信号放大 为何放大： 1).信号电压太小，不易察觉 2).信号功率太小，不能...1、信号放大 为何放大： 1).信号电压太小，不易察觉 2).信号功率太小，不能驱动负载 3).传输过程中信号易被噪声淹没
