上图是一个控制MOS管开关的简单电路图，根据之前的分析，MOS管栅极与源极之间有...上图是一个控制MOS管开关的简单电路图，根据之前的分析，MOS管栅极与源极之间有寄生电容，栅极与漏极之间也有寄生电容。 另外，MOS管源极接地，漏极输出，这种情...
NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合...NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻，就可以做出...用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻，就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电，因此...
MOSFET作为功率开关元件广泛应用于调节器和马达控制器。在各种H桥配置中，它们...MOSFET作为功率开关元件广泛应用于调节器和马达控制器。在各种H桥配置中，它们不仅可是分立器件也可集成到IC。
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪...MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的...
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅...KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅极电压下运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROH...
