相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂...相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的...
例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V...例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主...
N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%测试
通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要...通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。 通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最...
1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，...1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离，因此L直接关系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。 2、沟道宽度W决定了器件的强度，器件越宽，并行穿过器...
以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成...以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个...
