对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如...对于元器件而言，特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如，对于用作为放大的有源器件——双极型晶体管以及场效应晶体管而言，特征频率就是指...
当MOS管工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds <...当MOS管工作在变阻区内时，其沟道是“畅通”的，相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系，即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，...
在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，...在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样，电源设计...
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用...为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在...
SOT-23 MOS管 无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。SOT-23 MOS管 无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。
栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅...栅极(G):MOS管的控制引脚，G的全称是Gate，当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一...
