为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFE...为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行...
N沟道mos管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0...N沟道mos管 KIA2302 3A20V特性 VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0A VDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0A
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串...在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。
输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所...输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所需加于两输入端间之补偿电压。理想之运算放大器其Vos应该为0V。
功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损...功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决...
在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基...在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，...
