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3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景?，在变频器电源和逆变器、适配器、充电...www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-01-03
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mos管反相器详解,mos管反相器工作原理-KIA MOS管
下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成；当v=1时，T1截止，T2导通，vo=0;当v=0时，T1导通，T2截止，vo=1;www.kiaic.com/article/detail/5423.html 2025-01-03
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mos管自举电路原理,mos管驱动电路分析-KIA MOS管
当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通；这时Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V，Q管（MOS）导通。在这里我们可以得知，自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。www.kiaic.com/article/detail/5422.html 2025-01-03
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逆变器mos管,60v130a场效应管,KIA2906AP参数资料-KIA MOS管
逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高雪崩耐量，稳定可靠，符合RoHS标准，绿色环保；优越的开关性能在逆变器、适配器、UPS电源中确保高效的电能转换...www.kiaic.com/article/detail/5421.html 2025-01-02
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二极管反向电流,二极管正向电流和反向电流-KIA MOS管
反向电流是指在二极管两端施加反向电压时流过的电流，通常称为反向饱和电流或漏电流。这种电流是由于少数载流子在二极管内部发生漂移运动而产生的。反向饱和电流的大小受温度影响很大，温度升高会导致反向饱和电流增大?。www.kiaic.com/article/detail/5420.html 2025-01-02
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全桥驱动和半桥驱动工作原理,区别-KIA MOS管
全桥驱动包含四个功率开关，可以提供正向和反向电流，因此适用于双电源电机驱动。特点：提供正向和反向电流，可以改变电机的旋转方向。适用于双电源供电，例如交流电源或者双电池供电的应用。www.kiaic.com/article/detail/5419.html 2025-01-02
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dcdc转换器mos,190a40v场效应管,KNP2404N参数资料-KIA MOS管
KNX2404N场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有的新型沟槽技术，具有优越的开关性能；低导通电阻RDS(on)=4mΩ，低栅极电荷，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速恢复体二极管，稳定可靠，适用于DC-DC转换器、车载逆变器、电源应用中，高效率低损...www.kiaic.com/article/detail/5418.html 2024-12-31
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镜像电流源工作原理,作用详解-KIA MOS管
电源Vcc通过电阻R和VT1产生一个基准电流Iref，然后通过镜像电流源在VT2的集电极得到相应的Ic2，作为提供给某个放大器的偏置电流。?www.kiaic.com/article/detail/5417.html 2024-12-31
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单片集成电路和混合集成电路区别-KIA MOS管
相对于单片集成电路，混合集成电路设计灵活，工艺方便，便于多品种小批量生产；并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。www.kiaic.com/article/detail/5416.html 2024-12-31
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锂电池保护板mos,80v70a场效应管,KND3508A参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos型号KND3508A漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5415.html 2024-12-30
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非门电路原理,非门电路图分享-KIA MOS管
非门电路可以通过晶体管开关来实现。以晶体管为例，当输入端为0时，晶体管关闭，电流无法通过，输出端为1；当输入端为1时，晶体管打开，电流通过，输出端为0。这种反相的特性使得非门电路能够实现逻辑非的功能。www.kiaic.com/article/detail/5414.html 2024-12-30
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放大电路的静态工作点,计算公式-KIA MOS管
静态工作点（Quiescent Point，简称Q点）是指在放大电路中没有输入信号时，晶体管的基极电流（Ib）、集电极电流（Ic或Ie）、管压降（Ube）和集电极-发射极电压（Uce）等参数的值。www.kiaic.com/article/detail/5413.html 2024-12-30
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电源mos840参数,500v8a场效应管,KIA840SD资料规格书-KIA MOS管
KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低电阻、低栅极电荷，在开关过程中能够快速响应并提供稳定的电流输出；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于...www.kiaic.com/article/detail/5412.html 2024-12-27
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截止频率计算公式,滤波器截止频率计算-KIA MOS管
RC滤波器截止频率计算公式：fc = 1 / 2πRC释义：截止频率是指输出信号幅值的衰减比例为1/√2的频率。在RC电路中，该公式用于计算截止频率，其中fc表示截止频率，R代表电阻值，C代表电容值。www.kiaic.com/article/detail/5411.html 2024-12-27