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结果: 找到相关主题 153 个
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单片集成电路和混合集成电路区别-KIA MOS管
相对于单片集成电路，混合集成电路设计灵活，工艺方便，便于多品种小批量生产；并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。www.kiaic.com/article/detail/5416.html 2024-12-31
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锂电池保护板mos,80v70a场效应管,KND3508A参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos型号KND3508A漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5415.html 2024-12-30
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非门电路原理,非门电路图分享-KIA MOS管
非门电路可以通过晶体管开关来实现。以晶体管为例，当输入端为0时，晶体管关闭，电流无法通过，输出端为1；当输入端为1时，晶体管打开，电流通过，输出端为0。这种反相的特性使得非门电路能够实现逻辑非的功能。www.kiaic.com/article/detail/5414.html 2024-12-30
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放大电路的静态工作点,计算公式-KIA MOS管
静态工作点（Quiescent Point，简称Q点）是指在放大电路中没有输入信号时，晶体管的基极电流（Ib）、集电极电流（Ic或Ie）、管压降（Ube）和集电极-发射极电压（Uce）等参数的值。www.kiaic.com/article/detail/5413.html 2024-12-30
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电源mos840参数,500v8a场效应管,KIA840SD资料规格书-KIA MOS管
KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低电阻、低栅极电荷，在开关过程中能够快速响应并提供稳定的电流输出；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于...www.kiaic.com/article/detail/5412.html 2024-12-27
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截止频率计算公式,滤波器截止频率计算-KIA MOS管
RC滤波器截止频率计算公式：fc = 1 / 2πRC释义：截止频率是指输出信号幅值的衰减比例为1/√2的频率。在RC电路中，该公式用于计算截止频率，其中fc表示截止频率，R代表电阻值，C代表电容值。www.kiaic.com/article/detail/5411.html 2024-12-27
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反激式开关电源变压器计算公式,计算方法-KIA MOS管
最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)]临界电感Lpo：如果为PWM式：Lpo=η*θonmax2*Vp2/(2*f*Po)，如果为自激式：Lpo=Lp。www.kiaic.com/article/detail/5410.html 2024-12-27
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3406场效应管,60v80a,dfn5*6,KCY3406A参数资料-KIA MOS管
KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用KIA的LVMOS工艺技术生产，低导通电阻RDS(on)=8.5mΩ，改进的工艺和电池结构经过特别定制，最大限度地降低导通电阻；具有低栅电荷、低反馈电容，降低功耗提高效率；开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；...www.kiaic.com/article/detail/5409.html 2024-12-26
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单节锂电池保护,电池充放电,保护板电路图-KIA MOS管
如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，其漏极背靠背连接。 Q1是用于电池放电的功率MOSFET，Q2是用于电池充电的功率MOSFET。 两个N沟道功率MOSFET放置在正端，因此需要两个充电泵来启用浮动驱动。www.kiaic.com/article/detail/5408.html 2024-12-26
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晶闸管触发电路,电路图原理分享-KIA MOS管
施加正向电压：当晶闸管的阳极和阴极之间施加正向电压时，晶闸管并不会立即导通。触发信号注入：此时，需要在门极和阴极之间注入一个正向触发脉冲信号。晶闸管导通：触发信号使得晶闸管内部形成导通通道，主电路电流得以流通。www.kiaic.com/article/detail/5407.html 2024-12-26
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电机驱动高压mos管,11a400v场效应管,KNF6140S参数-KIA MOS管
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，提供卓越的开关性能；专为高压、高速功率开关应用而设计，...www.kiaic.com/article/detail/5406.html 2024-12-25
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可控硅触发电路,脉冲信号,电路原理图分享-KIA MOS管
它在B处提供一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻，并且发射极电流流过脉冲变压器的初级，将栅极信号施加到可控硅SCR，可以通过增加C的值来增加输出信号的脉冲宽度。www.kiaic.com/article/detail/5405.html 2024-12-25
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分立器件和集成电路的区别,有什么不同?-KIA MOS管
分立器件结构：在硅片上通过掺杂、扩散等工艺形成，通常只有一个或少数几个PN结。功能：具有单独功能的电子器件，如二极管、晶体管等。www.kiaic.com/article/detail/5404.html 2024-12-25
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开关电源mos,100v15a场效应管,KND6610A参数-KIA MOS管
KND6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，?采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，稳定可靠；还具有低crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5403.html 2024-12-24