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结果: 找到相关主题 129 个
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pwm隔离电路,光耦隔离电路分析-KIA MOS管
光耦隔离电路就是利用发光二极管和光电三极管结合，通过电-光，光-电的转换，使输入和输出之间没有电信号的直接连接，从而起到电路隔离，屏蔽干扰的作用。www.kiaic.com/article/detail/5261.html 2024-10-21
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逆变器mos管,400v6a场效应管,KNP4540A参数资料-KIA MOS管
KNP4540A具有优异的性能和稳定性，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS（ON）值为0.8Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，符合RoHS标准，优质可靠；KNP4540A场效应管广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5260.html 2024-10-18
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mos管怎么驱动,mos管驱动电路分析-KIA MOS管
对于?NMOS，当控制信号（?Ctrl In）输出低电平时，NMOS不导通；当输出高电平时，NMOS导通。对于?PMOS，当输出低电平时导通，输出高电平时关闭。NMOS的使能电压以地电平为参照，而PMOS以电源电压为参照。www.kiaic.com/article/detail/5259.html 2024-10-18
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pwm驱动h桥工作原理,电路图-KIA MOS管
PWM信号是一个由高电平和低电平组成的数字信号，其高电平持续的时间与整个周期的比例（即占空比）决定了输出电压的大小。在H桥电路中，我们将PWM信号连接到两个输入端（通常是逻辑输入或微控制器的输出端）。这两个输入端控制H桥中开关的通断。通过调整PWM信号...www.kiaic.com/article/detail/5258.html 2024-10-18
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逆变器专用mos管,40a300v,KNH9130A参数引脚图-KIA MOS管
KNH9130A采用专有新平面技术，是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）值为100mΩ，低栅极电荷最小化开关损耗，快速恢复体二极管，高效稳定；KNH9130A场效应管广泛应用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5257.html 2024-10-18
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pwm控制mos管驱动电机,pwm电机驱动-KIA MOS管
MOSFET开关频率达到20KHz。MOSFET本身需要一定的功率驱动，因为MOSFET的容性负载很大，门级要2A以上的电流驱动才能导通。因此在PWM电路和电机驱动电路之间，还需要插入一级MOSFET驱动电路。同时，随着电机电流的加大，它也需要更大的散热器。www.kiaic.com/article/detail/5256.html 2024-10-17
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pwm控制mos管调节电压电流分析-KIA MOS管
用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。一个MOS管，PWM的占空比变化（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情形下，比如在纯阻性负载上，其峰值电压还是100V，平均值为50V）。www.kiaic.com/article/detail/5255.html 2024-10-17
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逆变器mos管场效应管,75A100V,kia3510a参数引脚图-KIA MOS管
KIA3510A是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷、100%雪崩测试，性能高效稳定；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于电源切换、LED电源等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5254.html 2024-10-16
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单片机驱动mos管电路原理,电路图分享-KIA MOS管
通过三极管作为中间级，来提高驱动能力和确保MOS管正常工作。? 单片机I/O口的电压通常较低，而MOS管需要较高的驱动电压才能达到饱和状态，因此直接驱动可能会导致MOS管不完全导通，内阻增大，从而产生过热问题。通过三极管作为中间级，可以有效提高驱动电压，...www.kiaic.com/article/detail/5253.html 2024-10-16
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MOS管驱动器,MOSFET驱动器电路-KIA MOS管
最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容，可以使 MOSFET 栅极电压得到很好的上升和下降时间。除了在偏置电压增加本地旁路电容外，MOSFE...www.kiaic.com/article/detail/5252.html 2024-10-16
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130A 100V场效应管,KNX2910B中文资料,mos管原厂-KIA MOS管
KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷，完全表征雪崩电压和电流，具有高EAS的良好稳定性和均匀性，性能稳定可靠；专用于电源...www.kiaic.com/article/detail/5251.html 2024-10-15
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三极管驱动mos管,三极管和MOS管驱动-KIA MOS管
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。www.kiaic.com/article/detail/5250.html 2024-10-15
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mos管的驱动电阻,mos管驱动电阻计算-KIA MOS管
L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MOSFET栅源极电容，不同管子及不同的驱动电压会不一样，取1nF。www.kiaic.com/article/detail/5249.html 2024-10-15
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100v130amos管,封装TO-220,KNP2910A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2910A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，RDS（ON）值为5mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试，可靠坚固；无铅环保器件(符合RoHS标准)，绿色环保，专用于17串-21串保护板、同步整流、无...www.kiaic.com/article/detail/5248.html 2024-10-14